GBU810_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥

Name: GBU810_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥
Brand: MDD

GBU810 型号参数

GBU810是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如内存条、网络适配器、 CT扫描仪、固态硬盘、电子除螨仪，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如气体报警器、虚拟现实头盔、 GPS定位器、 X光机、无线网卡、直流电源、摩托车、路由器等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
KBP206	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBPC5010	封装:KBPC-25 正向压降(Vf):1.1V@25A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:50A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBP307	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@3A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:3A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBU1010	封装:KBU 正向压降(Vf):1V@6A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
RMSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.3V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBU2510	封装:KBU 正向压降(Vf):1.1V@12.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:25A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBU406	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBL608	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@6A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:6A 反向电流(Ir):10uA@800V
MB10F	封装：MBF 参数：VR=400V IF=2A VF=1.25V IR=5uA trr=35nS
ABS10	封装:ABS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV

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