GBU1010_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥

Name: GBU1010_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥
Brand: MDD

GBU1010 型号参数

GBU1010是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 CT扫描仪、电动自行车、内存条、人脸识别设备、逆变器，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如烟雾报警器、不间断电源（UPS）、红外感应器、耳机、录像机、计算机、血糖仪、电子白板等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
TTR8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):950mV@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):150nA@1kV
KBU2510	封装:KBU 正向压降(Vf):1.1V@12.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:25A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBP206	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBPC3510	封装:KBPC-25 正向压降(Vf):1.1V@17.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:35A 反向电流(Ir):10uA@1kV
DB207S	封装:DBS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBJ2510	封装：GBJ 参数：VRM=800V，IO=8.0A，IFSM=200A，VF=1.0V，IR=10uA
MB6S	封装:MBS 正向压降(Vf):1.1V@400mA 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@600V
DB157	桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=1.5A，IFSM=50A，VF=1.1V，IR=10uA
KBPC1010	封装:BR-8 正向压降(Vf):1V@5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBU808	封装:KBU 正向压降(Vf):1.1V@8A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V

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