GBU1010_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥

Name: GBU1010_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥
Brand: MDD

GBU1010 型号参数

GBU1010是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如频谱分析仪、实验室离心机、专用集成电路（ASIC）、蓝牙耳机、电子血压计，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如电子游戏机手柄、电子按摩器、无人机、空调、计算机、智能手表、电子手表、音频信号处理器等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MB10S	封装:MBS 正向压降(Vf):1.1V@400mA 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBU2510	封装:KBU 正向压降(Vf):1.1V@12.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:25A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBP307	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@3A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:3A 反向电流(Ir):10uA@600V
DB107S	封装：DBS 参数：VR=1000V IF=3A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS
TTR8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):950mV@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):150nA@1kV
KBP206	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@600V
2W10	封装：WOM 参数：VR=400V IF=1A VF=1.1V IR=5uA
GBU606	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@3A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:6A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBPC5010	封装:KBPC-25 正向压降(Vf):1.1V@25A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:50A 反向电流(Ir):10uA@1kV

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