GBU1010_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥

Name: GBU1010_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥
Brand: MDD

GBU1010 型号参数

GBU1010是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如网络适配器、心电图仪、手机、电子脱毛器、智能插座，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如电子阅读器、微波炉、 MP4播放器、变压器、安防摄像头、电子美容仪、显卡、机器人等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
TT8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):5uA@1kV
DB107	封装:DB 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KMB24F	封装:MBF 正向压降(Vf):550mV@2A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:2A 反向电流(Ir):500uA@40V
KBU1010	封装:KBU 正向压降(Vf):1V@6A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB10S	封装:MBS 正向压降(Vf):1.1V@400mA 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
2W10	封装:WOM 正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBJ2510	封装:GBJ6 正向压降(Vf):1V@12.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:25A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBL608	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@6A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:6A 反向电流(Ir):10uA@800V
DB157	桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=1.5A，IFSM=50A，VF=1.1V，IR=10uA

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