HSU0139_HUASHUO_华朔_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: HSU0139_HUASHUO_华朔_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: HUASHUO

HSU0139 型号参数

HSU0139是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、热水器、电视机、智能照明系统、投影仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电路板、 CT扫描仪、电子白板、扫描仪、 OLED显示屏、电子搅拌器、电子气压计、录像机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
HSBA6115	MOSFETs 1个P沟道耐压:60V 电流:35A DFN8_5.1X5.7MM
HSBA20N15S	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：72.6W
HSL6107	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
AO3415	MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L
HSM6115	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：5W
AO3400A	MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23
HSM0228	2个N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W
HSU70P06	MOSFETs P-沟道 60V 70A 135W 12mΩ@4.5V TO252-2
HSM4113	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W
HSM4115	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：8.7A 功率(Pd)：1.5W

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