IRF1010EPBF_Infineon_英飞凌_TO220AB_MOSFETs

Name: IRF1010EPBF_Infineon_英飞凌_TO220AB_MOSFETs
Brand: Infineon

IRF1010EPBF 型号参数

IRF1010EPBF是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电饭煲、耳机、 B超机、气体报警器、智能家居控制器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动工具、频谱分析仪、 CT扫描仪、万用表、电子榨汁机、血糖仪、话筒（麦克风）、电子空气净化器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFP90N20DPBF	通孔 N 通道 200 V 94A（Tc） 580W（Tc） TO-247AC
IRF7470TRPBF	表面贴装型 N 通道 40 V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
IRFP450PBF	通孔 N 通道 500 V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247AC
IRF7832TRPBF	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
BSZ075N08NS5	BSZ075N08NS5
IRF7319PBF	MOSFETs N-沟道,P-沟道 30V 6.5A,4.9A 2W SOIC8_150MIL
IRLML0040TRPBF	MOSFETs N-channel 40 V 3.6A SOT-23
IPP034NE7N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@155uA;
IRF5210STRLPBF	MOSFETs 100V 3.1W SMT TO263AB 38A P-Channel
IPP072N10N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA;

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