KIA50N06BD_KIA_可易亚_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

KIA50N06BD 型号参数

KIA50N06BD是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如人脸识别设备、视频线材、电磁炉、智能安防摄像头、直流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：KIA50N06BD
品牌：可易亚(KIA)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V

MOSFETs可应用场景，如电子温度计、电子榨汁机、计算机、内存条、变压器、汽车电子控制系统、电子血压计袖带、洗衣机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
KNB2710A	100V 160A 333W 5mΩ@10V,25A 4V@250uA N Channel TO263-3 MOSFETs ROHS
KIA3400	4.8A，30V N-沟道 MOSFET
KNH9130A	N沟道漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：150W
KND3508A	80V 70A 12mΩ@10V,35A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA3510AD	75A，100V N-沟道 MOSFET
KNY3403B	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：71W
KND3306B	60V 80A 84.5W 8.5mΩ@10V,40A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA840SD	8A，500V KIA N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA50N03BD	50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA3401	-4.0A，-30V P-沟道 MOSFET SOT23

型号相关

热门型号