MMBT8550D(2TY)_ST_先科_SOT-23_通用三极管

Name: MMBT8550D(2TY)_ST_先科_SOT-23_通用三极管
Brand: ST

MMBT8550D(2TY) 型号参数

MMBT8550D(2TY)是品牌ST先科，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像头、电子门禁卡、电子搅拌器、 USB闪存盘、电动车，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MMBT8550D(2TY)
品牌：先科(ST)
分类：通用三极管
参数：晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-25V,Ic=-600mA,hfe=160~400

应用场景

通用三极管可应用场景，如内存条、热水器、逆变器、智能手环、电子烤箱温度计、电子榨汁机、模拟信号处理器（ASP）、电子琴等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
MMBT9014B	SOT23-3 NPN 100mA 45V 250mV 110~220 3Pins
MMBTSC3356S	NPN Ic=100mA Vceo=12V hfe=125~250 fT=7GHz P=200mW S档 SOT-23
MMBT9012G	SOT23-3 PNP 500mA 30V 600mV 100~250 3Pins
MMBT8050CW(1.5A)	硅外延平面晶体管 200mW 1.5A NPN 25V 100nA 100MHz 500mV@800mA,80mA +150℃@(Tj) 100@100mA,1V SOT-323-3
BC847C(1G)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：420@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN
9015C	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：450mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：650mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=200~600
MMBT8550C(B9C)	硅外延平面晶体管 100nA 25V 350mW 100@100mA,1V 600mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150℃@(Tj) SOT-23-3L
MMBT8550D(2TY)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-25V,Ic=-600mA,hfe=160~400
BC847B(1F)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=200~450
MPSA44	通用三极管 NPN 400V 300mA hFE=50~200 TO92

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