MMBT8550D(2TY)_ST_先科_SOT-23_通用三极管

MMBT8550D(2TY) 型号参数

MMBT8550D(2TY)是品牌ST先科，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如光纤连接器、蓝牙音箱、电子除湿机、电动车、 B超机，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：MMBT8550D(2TY)
品牌：先科(ST)
分类：通用三极管
参数：晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-25V,Ic=-600mA,hfe=160~400

通用三极管可应用场景，如冰箱、安防监控系统、电动车充电器、电子搅拌器、智能手环、录像机、红外感应器、电子血压手环等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMBT9014C	NPN硅外延平面晶体管
MMBT9018H	NPN Ic=50mA Vceo=15V hfe=105~190 P=200mW
MPSA92	TO92 500mA
9018H	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：15V 集电极电流(Ic)：50mA 功率(Pd)：400mW NPN,Vceo=15V,Ic=50mA,hfe=97~146
MMBT8550C(B9C)	硅外延平面晶体管 100nA 25V 350mW 100@100mA,1V 600mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150℃@(Tj) SOT-23-3L
BC847C(1G)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：420@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN
MMBTSC945P(CR)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,6V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400
MMBT8050D(1.5A)	NPN Ic=1.5A Vceo=25V hfe=160~400 fT=120MHz P=200mW
2SB772PU	硅外延功率晶体管 30V 1W 3A PNP SOT-89-3
MMBT8050CW(1.5A)	硅外延平面晶体管 200mW 1.5A NPN 25V 100nA 100MHz 500mV@800mA,80mA +150℃@(Tj) 100@100mA,1V SOT-323-3

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