MMDT3904DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管

Name: MMDT3904DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管
Brand: CBI

MMDT3904DW 型号参数

MMDT3904DW是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子气压计、手机充电器、 CT扫描仪、触摸屏、万用表，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

通用三极管可应用场景，如气体报警器、虚拟现实头盔、功放设备、网卡、 LED显示器、电子驱蚊器、模拟信号处理器（ASP）、智能手表等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
S9012	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBT2222A	SOT23-3,NPN,VCEO=40V,600mA
C945	功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 晶体管类型：NPN
S9018	晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：15V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：105@1mA,5V 特征频率(fT)：600MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBTSC3356-3G	NPN硅外延平面晶体管
MMBTA42	晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 300 V 500 mA 50MHz 240 mW 表面贴装型 SOT-23-3
S9015	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBT5551	塑料封装晶体管
BC848B	NPN硅外延晶体管，用于开关和放大器应用
MMBT3904T	功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 晶体管类型：NPN

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