Name: MMUN2132LT1G_ON_安森美_SOT-23_带预偏置三极管
Brand: ON

MMUN2132LT1G 型号参数

MMUN2132LT1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如专用集成电路（ASIC）、显示器、数码相机、摄像头、电子手表，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

带预偏置三极管可应用场景，如 CT扫描仪、数字信号处理器（DSP）、电磁炉、无线网卡、智能插座、烤箱、 GPS定位器、交换机等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
DTC124XET1G	数字晶体管（BRT）R1=22 KΩ，R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
DTC114EET1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=300mW SOT416
MMUN2111LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=400mW SOT23
MUN5235DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MMUN2233LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5312DW1T1G	互补偏置电阻晶体管