MMUN2132LT1G_ON_安森美_SOT-23_带预偏置三极管

Name: MMUN2132LT1G_ON_安森美_SOT-23_带预偏置三极管
Brand: ON

MMUN2132LT1G 型号参数

MMUN2132LT1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吉他效果器、现场可编程门阵列（FPGA）、射频连接器、电子助听器、实验室离心机，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如游戏机、汽车电子控制系统、打印机、智能照明系统、饮水机、路由器、专用集成电路（ASIC）、电子脱毛器等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMUN2214LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5330DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2211LT1G	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23
MUN5313DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
MMUN2233LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
DTC124XET1G	数字晶体管（BRT）R1=22 KΩ，R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V

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