MUN5214DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

Name: MUN5214DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5214DW1T1G 型号参数

MUN5214DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如实验室离心机、模拟信号处理器（ASP）、电子阅读器、电子按摩器、电子搅拌器，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如电动车充电器、射频连接器、电子驱蚊器、扫地机器人、 X光机、电子门禁卡、交流电源、无人机等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
DTC114EET1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=300mW SOT416
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2112LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=60 P=400mW SOT23
MUN5235DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2211LT1G	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23
DTC124XET1G	数字晶体管（BRT）R1=22 KΩ，R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管
MMUN2132LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=15 P=400mW SOT23
MUN5311DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2111LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=400mW SOT23

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