NCE3090K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE3090K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3090K 型号参数

NCE3090K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子榨汁机、电子游戏机手柄、调音台、电子词典、电子门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电路板、 CT扫描仪、数码相机、电子血压手环、声卡、功放设备、频谱分析仪、指纹识别器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE0115K	MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L
NCE2309	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W

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