NCE30D2519K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 X光机、 摄像机、 电磁炉、 B超机、 智能手机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE30D2519K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 机械硬盘、 音响设备、 视频线材、 网络适配器、 RFID读写器、 微处理器、 电视机、 触摸屏 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE4060K | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W |
| NCE60P50 | MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3 |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| 2N7002K | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE30P15S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W |
| NCE30P20Q | MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A |
| NCE2060K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
