NCE30P20Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子罗盘、 气体报警器、 人脸识别设备、 无人机、 台式电脑主机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE30P20Q
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 CT扫描仪、 电子搅拌器、 电子加湿器、 电子手表、 信号发生器、 血糖仪、 调制解调器、 人脸识别设备 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE6080A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCEP60T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L |
| NCE3007S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W |
| NCE6005AR | N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L |
| NCEP4045GU | NCEP4045GU |
| NCE60H10K | MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W |
| 2N7002K | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW |
| NCE2333Y | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W |
| NCE30ND09S | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W |
