NCE60H10K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子翻译器、 内存条、 微处理器、 电子咖啡机、 安防监控系统 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60H10K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 触摸屏、 实验室离心机、 内存条、 无人机、 电动车充电器、 蓝牙音箱、 视频线材、 电子计算器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE603S | N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL |
| NCEP039N10D | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W |
| NCE40P05S | MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8 |
| NCEP6090AGU | MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L |
| NCEP1545G | MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCE60P04Y | MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3 |
| NCE3050K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W |
| NCE30P20Q | MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
