NCE603S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 专用集成电路（ASIC）、 无人机、 话筒（麦克风）、 投影仪、 手机充电器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE603S
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 烤箱、 手机充电器、 扫地机器人、 稳压电源、 集成电路板、 电子净水器、 复印机、 电子榨汁机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP4045GU | NCEP4045GU |
| NCEP60T20 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L |
| NCE01P30K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L |
| NCE2030K | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCEP0178A | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L |
| NCE2301 | 场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ |
| NCE3404 | N沟道增强型功率MOSFET |
