NCE2301是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 信号发生器、 汽车电子控制系统、 话筒（麦克风）、 音频线材、 数字信号处理器（DSP） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE2301
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 手机、 电子书阅读器、 逻辑分析仪、 数码相机、 指纹识别器、 GPS定位器、 红外感应器、 不间断电源（UPS） 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCE6045XG | |
| NCE3050K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W |
| NCEP0114AS | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL |
| NCEP60T15G | MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE60P25K | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE30H10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L |
| NCE65T260 | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W |
