NCE60P25K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED显示器、 音频信号处理器、 数字信号处理器（DSP）、 安防监控系统、 GPS定位器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60P25K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 频谱分析仪、 无人机、 智能门锁、 电子脱毛器、 电动自行车充电器、 射频连接器、 电子湿度计、 吸尘器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE3080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W |
| NCE6012AS | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE4060K | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE40P70K | P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2 |
| NCE6050A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP40T17A | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L |
