NCE0117是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 信号发生器、 手机充电器、 电动自行车、 电子搅拌器、 整流器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE0117
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道增强型功率MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子白板、 游戏机、 摄像机、 安防摄像头、 智能照明系统、 集成电路板、 电子体温计探头、 电饭煲 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP072N10 | MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220 |
| 2N7002K | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW |
| NCE3080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W |
| NCE0110AK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
| NCE30P15S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE55P04S | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W |
| NCE30D2519K | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
