NCE0110K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、 示波器、 虚拟现实头盔、 显示器、 电子气压计 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE0110K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 CT扫描仪、 智能插座、 人脸识别设备、 电子翻译器、 电子胎心监测仪、 电动车充电器、 数码相机、 电子血压手环 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE60P12K | P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2 |
| NCEP0178A | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L |
| NCE3080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W |
| NCE55P04S | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE0115K | MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCEP040N10D | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W |
| NCEP60T15G | MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM |
| NCE3010S | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL |
