NCE65T360F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 实验室离心机、 智能家居控制器、 电子书阅读器、 电子秤、 GPS定位器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE65T360F
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 气体报警器、 电动工具、 蓝牙音箱、 电子搅拌器、 微波炉、 MP3播放器、 电子净水器、 电子游戏机手柄 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP40T17A | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L |
| NCE6080A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W |
| NCE01ND03S | 双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE60P04Y | MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3 |
| NCE6045XG | |
| NCE65TF099T | MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247 |
| NCE65T360K | N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W |
| NCE2309 | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23 |
