NCEP30T21GU是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 CT扫描仪、 电子咖啡机、 无人机、 直流电源、 音频线材 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP30T21GU
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子按摩器、 功放器、 智能安防摄像头、 智能插座、 安防监控系统、 无线网卡、 电子加湿器、 门禁系统 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE6075K | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W |
| NCE3007S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W |
| NCE40P05S | MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8 |
| NCE0115K | MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCE2333Y | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W |
| NCE3065K | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W |
| NCEP023N10T | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247 |
