NCE60P04R是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 打印机、 游戏机、 电子榨汁机、 智能插座、 LED显示器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60P04R
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能家居控制器、 扫地机器人、 智能手机、 安防监控系统、 无线网卡、 MRI扫描仪、 实验室离心机、 安防摄像头 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE40P05Y | P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W |
| NCE3018AS | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL |
| NCE0208KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W |
| NCEP072N10 | MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220 |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCE2303 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W |
| NCE3401 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W |
| NCE01P30K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L |
