NCE40P05Y是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子体温计探头、 电饭煲、 专用集成电路（ASIC）、 音响系统、 固态硬盘 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE40P05Y
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 单片机、 电子罗盘、 电子门禁卡、 光纤连接器、 电子净水器、 手机充电器、 电子白板、 电子琴 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE65T900F | MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE7190A | N沟道 漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L |
| NCE3080KA | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCEP4090GU | NCEP4090GU |
| NCE4953 | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W |
| NCE3400 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE65T260 | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
