NCEP30T21GU_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

NCEP30T21GU 型号参数

NCEP30T21GU是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、摄像机、稳压电源、 MP3播放器、电子烤箱温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCE3404	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE6045G	MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM

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