NCEP30T21GU是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 话筒（麦克风）、 智能安防摄像头、 笔记本电脑、 电子手表、 CT扫描仪 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP30T21GU
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能手机、 笔记本电脑、 逻辑分析仪、 集成电路板、 话筒（麦克风）、 虚拟现实头盔、 不间断电源（UPS）、 电动车充电器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP60T12AK | MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2 |
| NCE65T900F | MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE3400 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE0110AK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
| NCE65T540F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W |
| NCE3080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W |
| NCE30H10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L |
| NCEP026N10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W |
