NCEP30T21GU_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

Name: NCEP30T21GU_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP30T21GU 型号参数

NCEP30T21GU是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、游戏机、遥控器、变压器、 LED显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如蓝牙耳机、实验室离心机、单片机、稳压电源、复印机、吸尘器、电源供应器、集成电路板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE3401AY	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCEP1545G	MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL

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