NCE4012S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子计算器、 电源供应器、 移动硬盘、 声卡、 智能手环 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE4012S
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子签到系统、 话筒（麦克风）、 光纤连接器、 专用集成电路（ASIC）、 吸尘器、 烤箱、 汽车、 摄像机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE6005AR | N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCEP023N10T | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247 |
| NCE82H140D | N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W |
| NCE65T360K | N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W |
| NCE2030K | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W |
| NCE30D2519K | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE2303 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W |
| NCEP85T25T | MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247 |
