NCEP85T25T是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能照明系统、 电子游戏机手柄、 频谱分析仪、 电子美容仪、 LED显示器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP85T25T
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能插座、 3D打印机、 功放器、 电子门禁卡、 电子白板、 直流电源、 固态硬盘、 电视机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE20P45Q | MOSFETs 1个P沟道 耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM |
| NCEP035N85GU | NCEP035N85GU |
| NCE0208KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W |
| NCE3401 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W |
| NCEP01T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W |
| NCE9926 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W |
| NCE0130KA | TO252 SMT 100V 30A |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0224K | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W |
