SI1967DH-T1-GE3_VBsemi_微碧_SC-70-6_MOSFETs

Name: SI1967DH-T1-GE3_VBsemi_微碧_SC-70-6_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI1967DH-T1-GE3 型号参数

SI1967DH-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响设备、电子搅拌器、电路板、电子词典、电子门禁卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如热水器、电子血压计、平板电脑、 MP3播放器、直流电源、电子空气净化器、电动车充电器、电子签到系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
XP152A12C0MR	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
CJ2312	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
VBZA9410	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±16V ID=10A RDS(ON)=15mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBA2107	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=5mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
TK40P03M1-VB	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:80A TO-252
2SJ337	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.9A RDS(ON)=72mΩ@4.5V TO251
SI7465DP-T1-E3-VB	MOSFETs P沟道耐压:60V 电流:36A DFN8_5X6MM_EP
AO3415A	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
BSH103	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
SI2302CDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

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