SI1967DH-T1-GE3_VBsemi_微碧_SC-70-6_MOSFETs

Name: SI1967DH-T1-GE3_VBsemi_微碧_SC-70-6_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI1967DH-T1-GE3 型号参数

SI1967DH-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能插座、单片机、手机充电器、门禁系统、电子血压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如热水器、电子手表、路由器、电子血压手环、显卡、智能安防摄像头、安防监控系统、 CT扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4482DY-VB	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=36mΩ@10V SOIC8_150MIL
AO4606	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
FDS4935BZ-NL&38-VB	MOSFETs 2个P沟道耐压:30V 电流:7.3A SO-8
SPD30P06PG-VB	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=62mΩ@4.5V TO252
FDN337N-NL	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
IRF9310TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=8mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRLML2402TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
AP2310GN	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
STM4973	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SFT1350.-VB	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=15mΩ@4.5V TO252

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