SI7483ADP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs

Name: SI7483ADP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI7483ADP-T1-GE3-VB 型号参数

SI7483ADP-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数码相机、遥控器、移动硬盘、电子书阅读器、电子温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 GPS定位器、逻辑分析仪、汽车、电子驱蚊器、电子书阅读器、扬声器、电子广告牌、电饭煲等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
Si2338DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
FDV301N-VB	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
LR024N	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
FDN5630-NL-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:4A SOT-23
IRLML5103TRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V SOT-23
FDN537N-VB	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
SFT1350.-VB	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=15mΩ@4.5V TO252
FDS4935BZ-NL&38-VB	MOSFETs 2个P沟道耐压:30V 电流:7.3A SO-8
VBE2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=58mΩ@4.5V TO252AA
STN3NF06L	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT223

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