SI7483ADP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs

Name: SI7483ADP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI7483ADP-T1-GE3-VB 型号参数

SI7483ADP-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子罗盘、智能门锁、 USB闪存盘、固态硬盘、投影仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电视机、手机充电器、显卡、电动车、电子秤、智能手机、 LED照明灯、人脸识别设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP2306AGN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
NTF3055-100T1G-VB	MOS管 N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=4.5A RDS(ON)=85mΩ@3A,4.5V SOT223
IRLML6302TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
NCE1540K-VB	MOSFETs N沟道 150V 15A TO252
VBE2412	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
RSR020N06TL	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
RYU002N05T306-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:300mA SC-70-3
IRF3710PBF	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=70A RDS(ON)=17mΩ@10V TO220AB
VBK3215N	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8

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