SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2302DS-T1-GE3 型号参数

SI2302DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如网络适配器、电动车充电器、固态硬盘、电子血压手环、可编程逻辑控制器（PLC），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动车充电器、智能插座、光纤连接器、电子气压计、汽车、电子加湿器、频谱分析仪、电磁炉等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDG6303N	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
VBI1101M	MOS管 N-channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.2A RDS(ON)=125mΩ@4.5V SOT89
FDS8447	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=12mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
AO7400	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
CEM4435A	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SPD30P06PG-VB	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=62mΩ@4.5V TO252
AO4421	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
FDN5630-NL-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:4A SOT-23
FDC6321C	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
AP2310GN	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23

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