SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2302DS-T1-GE3 型号参数

SI2302DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、电动车充电器、电子空气净化器、电子门锁、 LED显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如安防摄像头、复印机、电源供应器、实验室离心机、电子白板、直流电源、电动自行车充电器、信号发生器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP2306N	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
BUK765R2-40B-VB	MOSFETs N沟道耐压:40V 电流:100A TO-263
SI1304BDL	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
IRLU3410PBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:15A TO-251
ME9435	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI2302DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
SI3442CDV	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
BUK7635-55A-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:40A TO-263
IRFR3710ZTRPBF	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:60A TO252
IRLML6246TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

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