SI2308DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2308DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2308DS-T1-GE3 型号参数

SI2308DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如网卡、手机充电器、电子湿度计、电子签到系统、平板电脑，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能插座、电动自行车控制器、智能手环、电子按摩器、遥控器、电子血压计袖带、电子助听器、电动工具等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
BSN20	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
AP2625GY	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
FDN537N-VB	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
AO3415A	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
VBTA4250N	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=300mA RDS(ON)=650mΩ@4.5V SC75-6
BUK7635-55A-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:40A TO-263
2N7002KB	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
FDS8447	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=12mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRLML5103GTRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:5.6A SOT-23
SI7483ADP-T1-GE3-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:120A DFN8_5X6MM_EP

型号相关

热门型号