SI2308DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2308DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2308DS-T1-GE3 型号参数

SI2308DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、 LED照明灯、电子签到系统、无人机、蓝牙音箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、台式电脑主机、网卡、耳机、电饭煲、电子体重秤、话筒（麦克风）、集成电路板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFR024NTRPBF	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252AA
CJ3402	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
TK40P03M1-VB	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:80A TO-252
2SJ562	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
VB1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.6A RDS(ON)=141mΩ@4.5V SOT23
MMBT7002K-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:300mA SOT-23
MDS1521URH	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=5mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBM2625	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB
VBE1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=114mΩ@10V TO252
AP2306GN	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

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