SI3139KE-TP_MCC_美微科_SOT-523-3_MOSFETs

Name: SI3139KE-TP_MCC_美微科_SOT-523-3_MOSFETs
Brand: MCC

SI3139KE-TP 型号参数

SI3139KE-TP是品牌MCC美微科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、电子胎心监测仪、专用集成电路（ASIC）、机器人、 GPS定位器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如逻辑分析仪、智能家居控制器、电子手表、饮水机、安防监控系统、电子驱蚊器、电子胎心监测仪、万用表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2324A-TP	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1.2W
SI3407-TP	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
SI3139KE-TP	P沟道MOSFET，VDS:-20V CISS:170pF
BSS138-TP	50V 220mA 3.5Ω@10V,220mA 350mW 1.5V@1mA N Channel SOT-23-3
2N7002-TP	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
SI3404-TP	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW
SI2302-TP	MOS管 N-channel Id=3A VDS=20V SOT23-3
SI2333-TP	MOSFETs P-channel VDS=12V ID=6A SOT23
SI2305B-TP	MOSFET P-沟道 20V 4.2A SOT23
SI3402-TP	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.3W

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