SI4435DY-T1-E3_VBsemi_微碧_SOP-8_MOSFETs

Name: SI4435DY-T1-E3_VBsemi_微碧_SOP-8_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI4435DY-T1-E3 型号参数

SI4435DY-T1-E3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子驱蚊器、 X光机、电子白板、安防监控系统、 DVD播放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如单片机、电子搅拌器、洗衣机、电子湿度计、 RFID读写器、电子门禁卡、电动自行车充电器、门禁系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
VBE1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=114mΩ@10V TO252
VBZA9410	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±16V ID=10A RDS(ON)=15mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VB162K	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
SSC8022GS6	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
IRFR024NTRPBF	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252AA
VB4290	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
VBK4223N	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SOT363
SM2307PSAC-TRG-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V SOT-23
PMR280UN-VB	MOSFETs N沟道 20V 1A SC75-3
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8

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