SI7848DP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_QFN-8(5x6)_MOSFETs

Name: SI7848DP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_QFN-8(5x6)_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI7848DP-T1-GE3-VB 型号参数

SI7848DP-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门禁卡、打印机、数码相机、电子灭蚊灯、直流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MP4播放器、电子温度计、电子秤、蓝牙耳机、音频线材、 RFID读写器、微处理器、 X光机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
RSR020N06TL	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
AP2625GY	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
VBK3215N	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
VBA2107	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=5mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRLU3410PBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:15A TO-251
CEM4435A	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
MDS1521URH	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=5mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
FDG6303N	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
BSN20	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
FQPF13N50CF-VB	MOSFETs N沟道耐压:550V TO-220F

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