Name: SI7852DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7852DP-T1-GE3 型号参数

SI7852DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如打印机、电子秤、电子搅拌器、电子净水器、手机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如吉他效果器、 LCD显示屏、网卡、逻辑分析仪、微波炉、移动硬盘、可编程逻辑控制器（PLC）、耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3
SI7121DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=16A RDS(ON)=15mΩ@10V
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
IRFP264PBF	MOSFETs N-Channel VDS=250V RDS=75mΩ ID=38A P=280W
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8
SQ2310ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3