SI7852DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

Name: SI7852DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7852DP-T1-GE3 型号参数

SI7852DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摩托车、心电图仪、电子门锁、电动自行车、路由器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子秤、笔记本电脑、电动车充电器、吉他效果器、网络适配器、电子手表、触摸屏、空调等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
IRFL9014TRPBF	MOSFETs P-沟道 60V 1.8A SOT223
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
IRF830PBF	MOSFETs VDS=500V RDS=1.5Ω@10V ID=4.5A P=74W
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI7738DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=38mΩ@10V
SUD50P10-43L-GE3	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=43mΩ@10V DPAK
SI4128DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3

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