SI8800EDB-T2-E1_Vishay_威世_Microfoot4_MOSFETs

Name: SI8800EDB-T2-E1_Vishay_威世_Microfoot4_MOSFETs
Brand: Vishay

SI8800EDB-T2-E1 型号参数

SI8800EDB-T2-E1是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、微处理器、平板电脑、台式电脑主机、 MP4播放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子助听器、电子除螨仪、电子阅读器、智能手环、 LED照明灯、电子罗盘、游戏机、音响设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2323DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI4162DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SI2301CDS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=3.1A
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRFD9024PBF	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=280mΩ@10V
IRFL9014TRPBF	MOSFETs P-沟道 60V 1.8A SOT223

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