SI7884BDP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

SI7884BDP-T1-GE3 型号参数

SI7884BDP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如信号发生器、摄像头、汽车、智能门锁、 USB闪存盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SUD50P04-08-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.1mΩ@10V TO252
IRFR320TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
SUD50P10-43L-GE3	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=43mΩ@10V DPAK
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8

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