SI7489DP-T1-E3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SI7489DP-T1-E3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7489DP-T1-E3 型号参数

SI7489DP-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP3播放器、音频功率放大器、台式电脑主机、智能照明系统、 CT扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 X光机、电子琴、音频功率放大器、专用集成电路（ASIC）、心电图仪、示波器、整流器、指纹识别器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
SI4178DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI2337DS-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIA906EDJ-T1-GE3	VDS=20V ID=4.5A PD=1.9W 2 N-Channel PowerPAK SC70-6L MOSFETs ROHS

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