SI2301BDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2301BDS-T1-GE3 型号参数

SI2301BDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如射频连接器、 X光机、电子搅拌器、 MRI扫描仪、安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
IRF840PBF	通孔 N 通道 500 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SQ2310ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
IRFP460APBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI3456DDV-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8

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