SIZ342DT-T1-GE3_Vishay_威世_PowerWDFN8_MOSFETs

Name: SIZ342DT-T1-GE3_Vishay_威世_PowerWDFN8_MOSFETs
Brand: Vishay

SIZ342DT-T1-GE3 型号参数

SIZ342DT-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、 RFID读写器、 USB闪存盘、电动工具、电子灭蚊灯，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如机械硬盘、 LED显示器、汽车、光纤连接器、直流电源、专用集成电路（ASIC）、无人机、音频信号处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI9407BDY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
IRF644PBF	MOS管 N-Channel VDS=250V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=280mΩ@10V TO220AB
IRF830PBF	MOSFETs VDS=500V RDS=1.5Ω@10V ID=4.5A P=74W
SI2324DS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF840PBF	通孔 N 通道 500 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
IRF610PBF	通孔 N 通道 200 V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3

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