SI2312BDS-T1-E3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2312BDS-T1-E3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2312BDS-T1-E3 型号参数

SI2312BDS-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交换机、智能手环、电子胎心监测仪、电路板、数码相机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 DVD播放器、汽车、电源供应器、电子净水器、手机、 3D打印机、吉他效果器、电子灭蚊灯等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7145DP-T1-GE3	MOSFETs P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
IRFP450PBF	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=400mΩ@10V TO247AC
SQ2310ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
SI7613DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK® 1212-8
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
SI4178DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI7738DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=38mΩ@10V
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3

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