SIA517DJ-T1-GE3_Vishay_威世_DFN6_2.05X2.05MM_MOSFETs

Name: SIA517DJ-T1-GE3_Vishay_威世_DFN6_2.05X2.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA517DJ-T1-GE3 型号参数

SIA517DJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、电子除螨仪、音频信号处理器、数码相机、 X光机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LED显示器、摄像机、变压器、洗衣机、电子阅读器、集成电路板、功放器、 B超机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFP450APBF	MOSFETs TO247 N-Channel VDDS=500V ID=14A
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
IRFRC20PBF	表面贴装型 N 通道 600 V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8

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