SIA517DJ-T1-GE3_Vishay_威世_DFN6_2.05X2.05MM_MOSFETs

SIA517DJ-T1-GE3 型号参数

SIA517DJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交流电源、指纹识别器、移动硬盘、电子书阅读器、电子罗盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SI2343DS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4A
SQ2310ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
IRF640PBF	通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
TP0610K-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V ID=185mA P=350mW TO236
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
IRFR310TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
IRFU320PBF	通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA

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