SIR422DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

SIR422DP-T1-GE3 型号参数

SIR422DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能插座、虚拟现实头盔、智能照明系统、智能家居控制系统、投影仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SI4401BDY-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
IRFP32N50KPBF	MOSFETs N-Channel VDS=500V RDS=135mΩ ID=32A P=460W
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
SIR158DP-T1-GE3	MOSFET PowerPAKSO-8 N-Channel ID=60A
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
SI8800EDB-T2-E1	表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3

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