SI2309CDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2309CDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2309CDS-T1-GE3 型号参数

SI2309CDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手表、电动自行车控制器、显示器、音频功率放大器、网络适配器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如信号发生器、实验室离心机、单片机、智能音箱、电子手表、电子灭蚊灯、音响系统、光纤连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SQD25N15-52_GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=52mΩ@10V TO252
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI9407BDY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL
IRF830PBF	MOSFETs VDS=500V RDS=1.5Ω@10V ID=4.5A P=74W
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI7738DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=38mΩ@10V
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI2342DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±5V ID=6A RDS(ON)=17mΩ@4.5V SOT23-3
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V

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