SI2308BDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2308BDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2308BDS-T1-GE3 型号参数

SI2308BDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防摄像头、汽车、手机充电器、笔记本电脑、 B超机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如红外感应器、电子签到系统、电子词典、游戏机、台式电脑主机、复印机、网卡、调音台等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
SI2304BDS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
SI4403CDY-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 13.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC

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