SI2308BDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2308BDS-T1-GE3 型号参数

SI2308BDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扬声器、整流器、电子计算器、调制解调器、电子胎心监测仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8
SIR158DP-T1-GE3	MOSFET PowerPAKSO-8 N-Channel ID=60A
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
SI7145DP-T1-GE3	MOSFETs P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
IRFR310TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
IRF840BPBF	通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB

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