SQJ459EP-T1_GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X4.37MM_MOSFETs

SQJ459EP-T1_GE3 型号参数

SQJ459EP-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子榨汁机、电子血压手环、电子加湿器、摄像头、 MP4播放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
IRFPC60LCPBF	MOSFET N-Channel 600V 16A
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI4401BDY-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

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