SQJ459EP-T1_GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X4.37MM_MOSFETs

Name: SQJ459EP-T1_GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X4.37MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SQJ459EP-T1_GE3 型号参数

SQJ459EP-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防监控系统、智能家居控制系统、电子体温计探头、吸尘器、集成电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动工具、安防摄像头、智能照明系统、电子体温计探头、手机、电子广告牌、扫描仪、电子除螨仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF644PBF	MOS管 N-Channel VDS=250V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=280mΩ@10V TO220AB
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
IRFP450APBF	MOSFETs TO247 N-Channel VDDS=500V ID=14A
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF640PBF	通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V
SI4848DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V

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