SIS402DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

Name: SIS402DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIS402DN-T1-GE3 型号参数

SIS402DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子翻译器、电磁炉、电子温度计、万用表、调制解调器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微波炉、电子白板、光纤连接器、视频线材、电子空气净化器、逆变器、电子美容仪、路由器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4848DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
SUM110P06-08L-E3	表面贴装型 P 通道 60 V 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D²Pak）
SI7145DP-T1-GE3	MOSFETs P-CH 30V 60A PPAK SO-8
IRFU320PBF	通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V
SUD50P10-43L-GE3	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=43mΩ@10V DPAK
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SI4178DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263

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