Name: SIA923EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK6_2.05X2.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA923EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA923EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车充电器、冰箱、显卡、录像机、打印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如声卡、电子阅读器、电子门禁卡、扫地机器人、红外感应器、人脸识别设备、空调、 3D打印机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
SIS443DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=11.7mΩ@10V
IRFP9240PBF	MOS管 P-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=500mΩ@10V TO247AC
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
SI2324DS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFL210TRPBF	表面贴装型 N 通道 200 V 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8