SIA923EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK6_2.05X2.05MM_MOSFETs

Name: SIA923EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK6_2.05X2.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA923EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA923EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如频谱分析仪、电饭煲、液晶显示器、不间断电源（UPS）、数字信号处理器（DSP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如血糖仪、电子白板、电子气压计、无线网卡、电子门禁卡、 MRI扫描仪、扫地机器人、内存条等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
TP0610K-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V ID=185mA P=350mW TO236
IRFP360PBF	MOSFET TO247AC N -Channel ID=23A
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V

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