SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

Name: SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIS443DN-T1-GE3 型号参数

SIS443DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调音台、变压器、电子阅读器、电子游戏机手柄、人脸识别设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如汽车、 GPS定位器、直流电源、电子秤、电子美容仪、 MRI扫描仪、触摸屏、人脸识别设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI9407BDY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V
SI7898DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
IRF640PBF	通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB

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