SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

Name: SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIS443DN-T1-GE3 型号参数

SIS443DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扫描仪、电子榨汁机、机器人、摄像机、电子助听器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子按摩器、 LCD显示屏、音频线材、智能门锁、电子咖啡机、电子手表、智能家居控制器、无线网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF840PBF	通孔 N 通道 500 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI4403CDY-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 13.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SI3443CDV-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 5.97A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
IRF840BPBF	通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB

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