SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

Name: SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIS443DN-T1-GE3 型号参数

SIS443DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 GPS定位器、人脸识别设备、心电图仪、模拟信号处理器（ASP）、游戏机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如单片机、不间断电源（UPS）、无线网卡、复印机、机器人、电子厨房计时器、电子净水器、电子手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF740PBF	通孔 N 通道 400 V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI7898DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
IRF640PBF	通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI4848DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
SI2315BDS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=50mΩ@4.5V SOT23-3

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