SQ2325ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SQ2325ES-T1_GE3 型号参数

SQ2325ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如笔记本电脑、模拟信号处理器（ASP）、电子门禁卡、电饭煲、录像机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI2315BDS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=50mΩ@4.5V SOT23-3
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
IRFP460PBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220

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