SI2325DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2325DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2325DS-T1-GE3 型号参数

SI2325DS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如游戏机、音频信号处理器、电子体重秤、稳压电源、电子门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动自行车充电器、 MP4播放器、内存条、显示器、智能手机、摄像机、人脸识别设备、电子榨汁机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
SI2304DDS-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=3.3A SOT23
SI7450DP-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8
SI4848DY-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=150V ID=2.7A SOIC8_150MIL
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3

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