SIRA18DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SIRA18DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIRA18DP-T1-GE3 型号参数

SIRA18DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如变压器、智能安防摄像头、电子签到系统、电动自行车充电器、电子手表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子助听器、打印机、无线网卡、智能家居控制系统、台式电脑主机、示波器、智能手环、吸尘器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFP264PBF	MOSFETs N-Channel VDS=250V RDS=75mΩ ID=38A P=280W
SUD50P04-08-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.1mΩ@10V TO252

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