SIRA18DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SIRA18DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIRA18DP-T1-GE3 型号参数

SIRA18DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子白板、吉他效果器、显卡、电动工具、音频功率放大器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电磁炉、 DVD播放器、电动车、 GPS定位器、电动工具、电子除湿机、电子按摩器、电子琴等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A
SIA906EDJ-T1-GE3	VDS=20V ID=4.5A PD=1.9W 2 N-Channel PowerPAK SC70-6L MOSFETs ROHS
SI7450DP-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
IRFP360PBF	MOSFET TO247AC N -Channel ID=23A
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SI7613DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

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